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株式會(huì)社ULVAC開始銷售離子修復(fù)設(shè)備。該設(shè)備是面向5G高頻濾波器的，基于在SAW和BAW器件上形成的氧化硅膜和氮化硅膜的薄膜厚度數(shù)據(jù)，在亞納米范圍內(nèi)控制薄膜厚度，實(shí)現(xiàn)±1.0nm以下的平坦度。
此新設(shè)備對(duì)應(yīng)的工藝不僅限于氧化硅膜和氮化硅膜，還可以使用氟基氣體來削薄鉬等金屬膜。除了SAW和BAW器件之外，也可以應(yīng)用于其他使用wafer的工藝。
【ULVAC離子修復(fù)工藝的特點(diǎn)】
有兩種類型的離子槍，一種是Ar氣體，一種是氟基氣體，可以針對(duì)器件提出適當(dāng)?shù)墓に嚱ㄗh。
① 適用于各種基板(Si、SiC、LN、LT)。
② ICP-Ion Gun（Ar氣規(guī)格）SiO2、SiN、Mo膜的平坦度可小于1nm。
③ ICP-Ion Gun（氟基氣體規(guī)格）改善AlN的Ra、可以減少使用光刻膠掩模進(jìn)行器件處理時(shí)的光刻膠殘留。
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